Proizvodimo PIN fotodiode na podlogama n- i p-tipa, jednoelementne i kvadrantne, s aktivnim oblastima od 0.8 mm2 do 80 mm2. Druge veličine mogu se dobiti po narudžbini.
Fotodiode n-tipa
Naše PIN diode n-tipa optimizovane su za detekciju bliskog infracrvenog zračenja na talasnoj dužini od 900nm. Fotodioda obasjana vidlјivim ili bliskim infracrvenimm zračenjem ponaša se kao strujni izvor čija je fotostruja srazmerna snazi zračenja. Inverzna polarizacija povećava paralelnu unutrašnju otpornost i smanjuje kapacitivnost diode. Smanjenje kapacitivnosti i otpora opterećenja RL smanjuje vreme odziva. Niska kapacitivnost sa relativno niskom polarizacijom postižu se korišćenjem izuzetno čistog silicijum avisoke otpornosti za baznu I-oblast diode (> 2 kWcm). Fluks pozadinskog zračenja povećava struju šuma, zbog toga se rpeporučuju filtri ili zamračivanje da bi se smanjilo ovo zračenje.
| FD08N | FD5N FD5N1 |
FD80N | ||
| tip | N | N | N | |
| aktivna površina (mm2) | 0.8 | 5 | 80 | |
| kućište | TO-18 | TO-5 | TO-25 | |
| napon napajanja (V) | 45 | 45 | 45 | |
| probojni napon (V) | 100 | 100 | 100 | |
| struja mraka (nA) |
tipično | 2 | 20 | 50 |
| max | 20 | 50 | 300 | |
| osetlјivost (A/W) | 900 nm tipično | 0.60 | 0.60 | 0.60 |
| 900 nm min. | 0.50 | 0.50 | 0.50 | |
| 1060 nm tipično | 0.15 | 0.15 | 0.15 | |
| 1060 nm min. | 0.10 | 0.10 | 0.10 | |
| NEP (10-12Hz1/2) | 900 nm tipično | <1 | <1.5 | 5 |
| 900 nm maks | 5 | 7 | 20 | |
| 1060 nm tipično | <4 | <4 | 20 | |
| 1060 nm maks. | 20 | 20 | 80 | |
| kapacitivnost (pF) | tipično | 2.5 | 8 | 70 |
| maks | 3 | 10 | 120 | |
| vreme odziva (ns) | 900 nm | 3.11) | 51) | 101) |
1) Na 50% amplitude
Snimite pdf verzije kataloških stranica za naše diode n-tipa:
Si PIN diodan-tipa, aktivna površina 0.8 mm2
Si PIN dioda n-tipa, aktivna površina 5 mm2, standardne visine ili sa niskim kućištem
Si PIN dioda n-tipa, aktivna površina 80 mm2
Fotodiode p-tipa
Naše PIN diode p-tipa optimizovane su za detekciju bliskog infracrvenog zračenja na talasnoj dužini od 1060 nm. Fotodioda obasjana vidlјivim ili bliskim infracrvenimm zračenjem ponaša se kao strujni izvor čija je fotostruja srazmerna snazi zračenja. Inverzna polarizacija povećava paralelnu unutrašnju otpornost i smanjuje kapacitivnost diode. Smanjenje kapacitivnosti i otpora opterećenja RL smanjuje vreme odziva. Niska kapacitivnost sa relativno niskom polarizacijom postižu se korišćenjem izuzetno čistog silicijum avisoke otpornosti za baznu I-oblast diode (> 10 kWcm). Fluks pozadinskog zračenja povećava struju šuma, zbog toga se rpeporučuju filtri ili zamračivanje da bi se smanjilo ovo zračenje. Uticaj širine prelazne oblasti i uticaj preslušavanja između kvadranta minimalizovani su za naše kvadrantne PIN diode.
| FD5P FD5P1 |
QDY7P 3) | QDY80P 3) | ||
| tip | P | P | P | |
| aktivna površina (mm2) | 5 | 7 | 80 | |
| kućište | TO-5 | TO-5, 8 | TO-25 | |
| napon napajanja (V) | 200 | 200 | 200 | |
| probojni napon (V) | 250 | 250 | 250 | |
| struja mraka (nA) |
tipično | 20 | 10 | 100 |
| max | 100 | 50 | 1000 | |
| osetlјivost (A/W) | 900 nm tipično | 0.60 | 0.60 | 0.60 |
| 900 nm min. | 0.50 | 0.50 | 0.50 | |
| 1060 nm tipično | 0.45 | 0.45 | 0.45 | |
| 1060 nm min. | 0.40 | 0.40 | 0.40 | |
| NEP (10-12Hz1/2) | 900 nm tipično | <1.5 | <1.5 | 5 |
| 900 nm maks | 10 | 7 | 40 | |
| 1060 nm tipično | <2.5 | <2.5 | 7 | |
| 1060 nm maks. | 15 | 12 | 60 | |
| kapacitivnost (pF) | tipično | 2.5 | 1.2 | 7 |
| maks | 3 | 1.4 | 10 | |
| vreme odziva (ns) | 900 nm | <112) | <112) | <201) |
2) 10% - 90% amplitude
3) po kvadrantu
Snimite pdf verzije kataloških stranica za naše diode p-tipa:
Si PIN dioda p-tipa, aktivna površina 5 mm2, standardne visine ili sa niskim kućištem
kvadrantna Si PIN dioda p-tipa, aktivna površina 7 mm2
kvadrantna Si PIN dioda p-tipa, aktivna površina 80 mm2
